BazEkon - Biblioteka Główna Uniwersytetu Ekonomicznego w Krakowie

BazEkon home page

Meny główne

Autor
Aliev Raimjon (Andizhanskiy Gosudarstvennyy Universitet), Mutarov Erkin (Andizhanskiy Gosudarstvennyy Universitet)
Tytuł
Use prospects in microelectronics for polycrystalline silicon film structures with p-n junction
Źródło
Perspectives of Innovations, Economics and Business, 2009, vol. 2, s. 106-109, rys., bibliogr. 7 poz.
Słowa kluczowe
Elektronika, Technologia, Przemysł elektroniczny
Electronics, Technology, Electronics industry
Uwagi
summ.
Abstrakt
The paper discusses perspectives of elaborating microelectronic and optoelectronic devices on polycrystalline silicon films. The I-V features of structures with p-n-junction, formed by using methods of р-type conductivity layer grow, thermal diffusion and ion-implantation of boron atoms into n-type polycrystalline silicon layer are compared. The I-V feature with S-form curve of the investigated structures conditioned by changing of the conductivities of base and grain boundaries under thermal processing are revealed.(original abstract)
Pełny tekst
Pokaż
Bibliografia
Pokaż
  1. Абакумов, А., Карагеоргий-Алкалаев, П., Каримова, И., 1977. В кн. «Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника», Ташкент, Фан, С. 3-23.
  2. Алиев, Р., 1997. «Инжекционное усиление фототока в поликристаллических кремниевых р+-п-п+ структурах», Физика и Техника Полупроводников, 1997, т. 31, N.4.C. 425-426.
  3. Викулин, И., Стафеев, В., 1980. Физика полупроводниковых приборов, Москва, Советское радио.
  4. Викулин, И., Курмашев, Ш., Стафеев, В., 2008. «Инжекционные фотоприемники», Физика и Техника Полупроводников, т. 42, вып. 1, С. 113-127.
  5. Георгиев, В. и др., 1990. «Межкристаллитные границы и свойства поликристаллического кремния», «Поверхность», N 9, С. 5-21.
  6. Зи, С., 1973. Физика полупроводниковых приборов, Пер. с англ., Москва, Энергия.
  7. Мўминов, Р., Ахмедов, Ф., Касимова, Т., 1985. «К диффузии примесей по границам зерен в поликристаллическом кремнии», «Гелиотехника», № 1, С. 67-69.
Cytowane przez
Pokaż
ISSN
1804-0519
Język
rus
Udostępnij na Facebooku Udostępnij na Twitterze Udostępnij na Google+ Udostępnij na Pinterest Udostępnij na LinkedIn Wyślij znajomemu